机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:具有超薄GaN中间层的n-GaN / i-InGaN / p-Gan太阳能电池的极化效应建模
机译:在p-GaN层上由n-GaN / ZnO同轴纳米棒异质结构组成的近紫外发光二极管
机译:结屏障肖特基二极管,用非常薄的高度Mg掺杂的P-GaN(20nm)/ N-GaN层在GaN底板上生长
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用在空心n-GaN纳米线上形成的非极性同轴InGaN / GaN多量子阱结构产生氢
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